基礎からの 半導体工学・目次

 第1章 半導体結晶 (10ページ)

1・1 半導体とは
1・2 シリコン結晶
 1・2・1 結晶構造と結晶面および面方位の表し方
1・3 導電率制御
演習問題1

  第2章 エネルギー帯図 (10ページ)

2・1 エネルギー準位
 2・1・1 電子のエネルギー準位
 2・1・2 シリコン原子のエネルギー準位と電子配置
2・2 エネルギー帯の形成
 2・2・1 真性半導体のエネルギー帯図
 2・2・2 不純物半導体のエネルギー帯図
演習問題2

 第3章 半導体のキャリヤ (20ページ)

3・1 キャリヤ半導体とフェルミ準位
 3・1・1 真性半導体のキャリア密度とフェルミ準位
 3・1・2 不純物半導体のキャリア密度とフェルミ準位
3・2 半導体の電気伝導
 3・2・1 ドリフト電流
 3・2・2 拡散電流
 3・2・3 電流密度の式
 3・2・4 キャリア連続の式
演習問題3

 第4章 pn 接合と pn 接合ダイオード  (17ページ)

4・1 pn 接合とは
4・2 pn 接合ダイオードの電流−電圧特性
4・3 pn 接合ダイオードの降伏現象
 4・3・1 電子雪崩降伏
 4・3・2 ツェナー降伏
4・4 ダイオードの接合容量
 4・4・1 空乏層容量
 4・4・2 拡散容量
4・5 少数キャリア蓄積効果
演習問題4

 第5章 金属と半導体の接触 (15ページ)

5・1 金属−半導体のエネルギー帯図
 5・1・1 n 形半導体と金属との接触
 5・1・2 p 形半導体と金属との接触
5・2 ショットキー接触の電流−電圧特性
5・3 ショットキー接触の容量−電圧特性
5・4 オーミック接触の形成法
演習問題5

 第6章 バイポーラトランジスタ (12ページ)

6・1 バイポーラトランジスタの構造
6・2 動作原理
6・3 電流増幅率
 6・3・1 ベース接合の場合
 6・3・2 エミッタ接地の場合
演習問題6

 第7章 MOS 電界効果トランジスタ (14ページ)

7・1 MOS 構造の表面現象と特性
 7・1・1 反転状態と しきい電圧
 7・1・2 MOS ダイオードの容量
7・2 MOS トランジスタの構造と動作
7・3 CMOS デバイス
7・4 集積回路とシステム LSI の概要
演習問題7

 演習問題の解答 (10ページ)

 参考文献

 付 録

 索 引